ВЫПОЛНЕНИЕ УГЛУБЛЕНИЯ |
=> | ПРОВЕРКА ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА |
=> | ВЫБОР КЛЕЯ | => | ДОЗИРОВАНИЕ КЛЕЯ И ПОСАДКА КАМНЕЙ |
=> | ОЧИСТКА И ОТВЕРЖДЕНИЕ |
КРИСТАЛЛЫ SWAROVSKI |
МЕТОД ПРОИЗВОДСТВА |
ТИП УГЛУБЛЕНИЯ | |
Ювелирные стразы |
Сверление Фрезерование | Оптимальное углубление для кристаллов XILION Chaton выполняется под углом 90°-93°. Углубление должно иметь максимальный диаметр и размер, равный размерам страза плюс как минимум 0,1 мм. Возможные размеры кристаллов SWAROVSKI приведены в разделе ВВЕДЕНИЕ - 6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КАМНЕЙ Для особенно крупных кристаллов с выраженным ободком рекомендуется дополнительно снять фаску. | |
Ювелирные стразы | Литье | Для ювелирных изделий, изготавливаемых литьем, рекомендуется просверлить дополнительное углубление в дне основного углубления, во избежание округления дна, которое может привести к высокой посадке страза. | |
Клеевые стразы с плоским дном | Сверление | Перед приклеиванием декоративных элементов SWAROVSKI с плоским дном также рекомендуется выполнить углубление, как показано на рисунке. Это углубление обеспечивает повышенную защиту страза от механических и химических факторов. Размер углубления зависит от высоты ободка и/или прочности материала-основы. | |
Хрустальное полотно Crystal Farbic | Фрезерование |
Сквозное углубление Сквозное углубление - самый простой тип углубления. При выборе клея необходимо соблюдать дополнительные инструкции, касающиеся зазора для клея. | |
Хрустальное полотно со вставками Crystal Transfabric | Сверление | Глухое отверстие Глухое отверстие - еще один тип углубления. Оно позволяет устанавливать декоративные элементы SWAROVSKI на различной высоте и обеспечивать их защиту в материале. При выборе размера углубления необходимо помнить, что должен оставаться небольшой зазор между самой низкой точкой страза и материалом-основой. При выборе клея необходимо соблюдать дополнительные инструкции, касающиеся зазора для клея. | |
Полотно Crystaltex | Фрезерование |
Ступенчатое углубление По сравнению с обычным глухим отверстием ступенчатое углубление лучше удерживает кристалл при минимальном количестве клея. При выборе размера углубления необходимо помнить, что должен оставаться небольшой зазор между самой низкой точкой страза и материалом-основой. При выборе клея необходимо соблюдать дополнительные инструкции, касающиеся зазора для клея. | |
Самоклеящиеся элементы | Водоструйная резка |
Объемное углубление Объемное углубление обеспечивает оптимальную посадку при минимальном размере зазора для клея. Из-за необходимости подгонки углубления к контурам страза требуется использовать цифровые фрезерные станки. |
Слишком маленький угол |
Слишком большой кристалл / слишком маленькое углубление |
Слишком большой угол |
Округленное углубление |
Углубление с неровной поверхностью |
Слишком большой зазор |
ВЫПОЛНЕНИЕ УГЛУБЛЕНИЯ |
=> | ПРОВЕРКА ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА |
=> | ВЫБОР КЛЕЯ | => | ДОЗИРОВАНИЕ КЛЕЯ И ПОСАДКА КАМНЕЙ |
=> | ОЧИСТКА И ОТВЕРЖДЕНИЕ |
1. Перед приклеиванием нанести маркером отметку на поверхность |
2. Если отметка остается видимой в течение 2 секунд, поверхность подходит для приклеивания. |
3. Если чернила исчезают или образуют пузырьки, поверхность не подходит для приклеивания. В этом случае, следует применить методы предварительной очистки. |
ТИПЫ ОЧИСТКИ | МЕТОДЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОЧИСТКИ | |
1 |
Механическая очисткаК данным методам относятся пескоструйная обработка, дробеструйная обработка, очистка щетками, однако данные виды обработки обычно не используются для ювелирных изделий. |
• Удаление грязи, остатков лака, ржавчины, окалины • Придание шероховатости поверхности |
2 |
Мытье и обезжириваниеСледует убедиться, что используемые ПАВ не содержат силикона, поскольку он ослабляет адгезию. Перед применением растворителей следует проверить стойкость поверхности к данному веществу заранее, во избежание повреждения. Запрещается использовать растворители, содержащие вещества с высокой точкой кипения, из-за риска образования осадка. После применения моющих средств следует подождать несколько минут, чтобы они испарились. |
• Очистка с применением ПАВ, ополаскивание деионизированной водой • Очистка изопропиловым спиртом / этанолом • Очистка ацетоном (MEK/этилацетат) • Очистка растворителем:растворитель не должен содержать веществ с высокой точкой кипения (риск образования осадка) |
3 |
Физическая очистка и активацияЭти методы очистки могут применяться в том случае, если механическая очистка или мытье и обезжиривание не могут быть выполнены, или в том случае, если они были выполнены, но при этом не удалось достичь поверхностного натяжения > 38 мН/м. Поэтому предварительная очистка по данному методу выполняется в зависимости от конкретного случая. |
• Обработка пламенем газовой горелки Обрабатываемая поверхность подвергается воздействию пламени горелки в течение очень короткого периода. Используя специальные газовые смеси, можно также выполнить силикатизацию поверхности для получения более клейкого покрытия.. • Обработка коронным разрядом Поверхность подвергается воздействию электрического коронного разряда. • Плазменная обработка Плазменная обработка обеспечивает очистку высокой точности и активирует поверхность с помощью ионизированного газа |
4 |
Химическая очистка и грунтовкаПрименение грунтовочного слоя повышает адгезию и помогает предотвратить коррозию |
• Применение небольшого количества растворителя и активация поверхности. • Нанесение грунтовочного слоя. |